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功能描述：两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
RoHS：否
制造商：STMicroelectronics
配置：
晶体管极性：PNP
集电极—基极电压 VCBO：
集电极—发射极最大电压 VCEO：- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO：- 6 V
集电极—射极饱和电压：
最大直流电集电极电流：
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe Min：100 A
最大工作温度：
安装风格：SMD/SMT
封装 / 箱体：PowerFLAT 2 x 2